据媒体报道，在10日揭幕的2018中国国际应用科技交易博览会上，国产5G通信基站GaN（氮化镓）功率放大器芯片，在中国发明成果转化研究院展区对外亮相。
点评：GaN是第三代半导体的代表材料。采用GaN的微波射频器件目前主要用于军事领域及4G/5G通讯基站应用场景，出于军事安全的考量，国外对高性能的氮化镓器件实行对华禁运。因此，发展自主GaN射频功放产业，对于打破国外垄断具有重要的意义。
国产5G基站题材概念股推荐：
乾照光电（300102） 凭借在砷化镓和氮化镓光电器件领域多年研发和生产的积累，投资16亿元加码半导体研发生产项目。
海特高新（002023）旗下的海威华芯建立了国内第一条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线，规划总投资20亿元加码产业化。
耐威科技（300456） 控股子公司聚能晶源团队掌握了国内领先的第三代半导体氮化镓（GaN）从材料生长到器件设计、制造的完整高端工艺和丰富经验，成为高频大功率应用的8寸硅基氮化镓（GaN）晶圆材料供应商。
台基股份（300046） 正在跟踪和研发以SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术。
