6月20日，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。
点评：存储器在半导体领域中单项市场规模最大，且行业集中度极高。DRAM是存储器最大细分市场，占比为53%，NAND Flash 占44%，Nor Flash仅占1%。目前，存储器市场呈现寡头垄断格局，三星、海力士、镁光占绝大部分市场份额。尤其DRAM领域，三家占比高达95%。随着国家存储器基地项目二期开工，存储器国产化进程望迎来提速。
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太极实业（600667）是国家存储器基地工程（一期）厂区和综合配套区项目设计、采购施工的总承包商及长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目建设工程EPC的总承包商。
紫光国微（002049）DRAM存储器芯片和内存模组已经形成完整的产品系列。
国科微（300672）公司与长江存储达成战略合作伙伴关系。
北方华创（002371）的刻蚀设备、PVD设备、清洗设备此前已获长江存储订单；
精测电子（300567）曾中标长江存储集成式膜厚光学关键尺寸量测仪；
新莱应材（300260）生产的超净管道阀门是半导体设备及厂房中不可或缺的“血管”。
